IR2114SSPBF vs IR21531STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2114SSPBF par Infineon et IR21531STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2114SSPBF IR21531STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,70 $0,70
Configuration Half-bridge gate driver Half-Bridge
Nombre de sorties 2 (high-side + low-side) 2 (high-side, low-side)
Topologie Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A —
Sink Current (typ.) 3 A —
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL —
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C -40C to +125C
Boîtier 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) 8-pin SOIC (SO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant (ROHS3)
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Temps de montée — 80 ns
Temps de descente — 45 ns
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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