IR2114SSPBF vs IR21531STRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2114SSPBF от Infineon и IR21531STRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2114SSPBF IR2114SSPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2114SSPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2114SSPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2114SSPBF IR21531STRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,70 $0,70
Configuration Half-bridge gate driver Half-Bridge
Количество выходов 2 (high-side + low-side) 2 (high-side, low-side)
Топология Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A —
Sink Current (typ.) 3 A —
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL —
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
Рабочая температура -40 C to +125 C -40C to +125C
Корпус 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) 8-pin SOIC (SO-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant (ROHS3)
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Время нарастания — 80 ns
Время спада — 45 ns
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену