IR2127STRPBF vs IR21531STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR2127STRPBF 제조: Infineon 및 IR21531STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR2127STRPBF IR21531STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.71 $0.70
Configuration High-Side Half-Bridge
Supply Voltage Range 12 V to 20 V —
Output Voltage (Offset) up to 600 V —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns (typical) —
Input Logic Non-Inverting CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
출력 수 1 2 (high-side, low-side)
상승 시간 80 ns (typical) 80 ns
하강 시간 60 ns (typical) 45 ns
동작 온도 범위 -40C to +125C —
패키지 8-SOIC (3.90 mm body) 8-pin SOIC (SO-8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL3 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (PBF), RoHS compliant —
dV/dt Immunity Yes (high-side floating channel) —
Integrated Current Sense Yes (cycle-by-cycle comparator) —
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
동작 온도 — -40C to +125C
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
RoHS 상태 — Compliant (ROHS3)

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