IR2153PBF vs IR2109SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2153PBF por Infineon y IR2109SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2153PBF IR2109SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,45 $1,05
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Topología Self-oscillating half-bridge with integrated RC oscillator —
Number of Drivers 2 (high-side and low-side) 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Rating 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 15.6 V (zener clamped) —
VCC Zener Clamp 15.6 V —
Quiescent Current (Micropower Startup) 500 uA —
Rise Time (typ.) 45 ns —
Fall Time (typ.) 80 ns —
Undervoltage Lockout Increased threshold (per datasheet) Yes (VCC)
Shutdown Feature Yes (1/6 VCC on CT pin) —
Deadtime Control Internal, tighter initial tolerance, low temperature coefficient —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm) SOIC-8
Tipo de montaje Through-Hole Surface Mount
Estado RoHS Pb-Free, RoHS compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Tiempo de subida — 200 ns
Tiempo de bajada — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Bootstrap Diode — Integrated
Temperatura de unión de funcionamiento — -40 C to +150 C

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