IR2153PBF vs IR2109SPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR2153PBF 제조: Infineon 및 IR2109SPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR2153PBF IR2109SPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.45 $1.05
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
토폴로지 Self-oscillating half-bridge with integrated RC oscillator —
Number of Drivers 2 (high-side and low-side) 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Rating 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 15.6 V (zener clamped) —
VCC Zener Clamp 15.6 V —
Quiescent Current (Micropower Startup) 500 uA —
Rise Time (typ.) 45 ns —
Fall Time (typ.) 80 ns —
Undervoltage Lockout Increased threshold (per datasheet) Yes (VCC)
Shutdown Feature Yes (1/6 VCC on CT pin) —
Deadtime Control Internal, tighter initial tolerance, low temperature coefficient —
동작 온도 -40C to +125C —
패키지 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm) SOIC-8
실장 유형 Through-Hole Surface Mount
RoHS 상태 Pb-Free, RoHS compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
상승 시간 — 200 ns
하강 시간 — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Bootstrap Diode — Integrated
동작 접합 온도 — -40 C to +150 C

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