IR2153PBF vs IR2109SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2153PBF por Infineon e IR2109SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2153PBF IR2109SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,45 $1,05
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Topologia Self-oscillating half-bridge with integrated RC oscillator —
Number of Drivers 2 (high-side and low-side) 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Rating 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 15.6 V (zener clamped) —
VCC Zener Clamp 15.6 V —
Quiescent Current (Micropower Startup) 500 uA —
Rise Time (typ.) 45 ns —
Fall Time (typ.) 80 ns —
Undervoltage Lockout Increased threshold (per datasheet) Yes (VCC)
Shutdown Feature Yes (1/6 VCC on CT pin) —
Deadtime Control Internal, tighter initial tolerance, low temperature coefficient —
Temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm) SOIC-8
Tipo de montagem Through-Hole Surface Mount
Status RoHS Pb-Free, RoHS compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Tempo de subida — 200 ns
Tempo de descida — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Bootstrap Diode — Integrated
Temperatura de junção de operação — -40 C to +150 C

Fichas técnicas e recursos

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