IR2181SPBF vs IR2181STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2181SPBF por Infineon y IR2181STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2181SPBF IR2181STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,72 $0,74
Driver Configuration Half-Bridge (High Side + Low Side) —
Número de salidas 2 (independent high-side and low-side) —
High-Side Offset Voltage Up to +600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VB-VS) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD/VSS) 3.3 V to 20 V (logic-level compatible) —
Source/Sink Drive Current 1.9 A source / 2.3 A sink (typical) —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, and 15 V logic 3.3 V and 5 V
Propagation Delay (typ.) 140 ns (typical) —
UVLO Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) Yes
Negative Transient on VS Tolerant —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Configuration — High and Low Side, Independent
Input Type — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Current (Source) — 1.9 A peak
Output Current (Sink) — 2.3 A peak
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) — Up to 600 V offset
Propagation Delay (typ) — 180 ns
Rise Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: fall time]
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes
Undervoltage Lockout — Independent for high-side and low-side
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Lead-Free — Yes

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