IR2181SPBF vs IR2181STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2181SPBF par Infineon et IR2181STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2181SPBF IR2181STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,72 $0,74
Driver Configuration Half-Bridge (High Side + Low Side) —
Nombre de sorties 2 (independent high-side and low-side) —
High-Side Offset Voltage Up to +600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VB-VS) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD/VSS) 3.3 V to 20 V (logic-level compatible) —
Source/Sink Drive Current 1.9 A source / 2.3 A sink (typical) —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, and 15 V logic 3.3 V and 5 V
Propagation Delay (typ.) 140 ns (typical) —
UVLO Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) Yes
Negative Transient on VS Tolerant —
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Configuration — High and Low Side, Independent
Input Type — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Current (Source) — 1.9 A peak
Output Current (Sink) — 2.3 A peak
High-Side Floating Supply Voltage (VBS) — Up to 600 V offset
Propagation Delay (typ) — 180 ns
Rise Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: fall time]
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes
Undervoltage Lockout — Independent for high-side and low-side
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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