IRF1010NPBF-VB vs IRF1010NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF1010NPBF-VB por VBsemi Elec y IRF1010NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

VBsemi Elec
IRF1010NPBF-VB IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF1010NPBF-VB IRF1010NPBF
Marca VBsemi Elec Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,25 $1,32
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage VDSS 55 V —
Continuous Drain Current ID 85 A (Tc) —
Power Dissipation PD 180 W (Tc) —
On-Resistance RDS(on) 0.014 Ohm (14 mOhm) —
Total Gate Charge Qg 80 nC —
Gate-Source Voltage VGSS +/-20 V —
Operating Mode Enhancement —
Number of Channels 1 —
Encapsulado TO-220AB (Through Hole) TO-220AB
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Configuration Single FET Single FET, 1 element
Process Technology Planar HEXFET, Advanced Process Technology —
Recommended Switching Frequency Below 100 kHz Below 100 kHz
Market Qualification Industrial Industrial (JEDEC per manufacturer)
Estado RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant (PbF = lead-free)
FET Type — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET planar
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 85 A
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) — 11 mOhm max at 10 V gate drive
Total Gate Charge (Qg) — 80 nC
Power Dissipation (Pd) — 180 W (Tc)
Polarity — N-Channel
Series — HEXFET
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Continuous Drain Current (Id) at Ta — [DATA_NEEDED: Id at 25C ambient]

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