IRF1010NPBF vs IRF1010NPBF-VB Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF1010NPBF por Infineon y IRF1010NPBF-VB por VBsemi Elec. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

VBsemi Elec
IRF1010NPBF-VB IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF1010NPBF IRF1010NPBF-VB
Marca Infineon VBsemi Elec
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,32 $0,25
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET planar —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 85 A —
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) 11 mOhm max at 10 V gate drive —
Total Gate Charge (Qg) 80 nC —
Power Dissipation (Pd) 180 W (Tc) —
Encapsulado TO-220AB TO-220AB (Through Hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Configuration Single FET, 1 element Single FET
Polarity N-Channel —
Series HEXFET —
Recommended Switching Frequency Below 100 kHz Below 100 kHz
Market Qualification Industrial (JEDEC per manufacturer) Industrial
Estado RoHS Compliant (PbF = lead-free) Compliant (Pb-free suffix)
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Continuous Drain Current (Id) at Ta [DATA_NEEDED: Id at 25C ambient] —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage VDSS — 55 V
Continuous Drain Current ID — 85 A (Tc)
Power Dissipation PD — 180 W (Tc)
On-Resistance RDS(on) — 0.014 Ohm (14 mOhm)
Total Gate Charge Qg — 80 nC
Gate-Source Voltage VGSS — +/-20 V
Operating Mode — Enhancement
Number of Channels — 1
Process Technology — Planar HEXFET, Advanced Process Technology

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