IRF1010NPBF vs IRF1010NPBF-VB Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1010NPBF par Infineon et IRF1010NPBF-VB par VBsemi Elec. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

VBsemi Elec
IRF1010NPBF-VB IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1010NPBF IRF1010NPBF-VB
Marque Infineon VBsemi Elec
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,32 $0,25
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET planar —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 85 A —
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) 11 mOhm max at 10 V gate drive —
Total Gate Charge (Qg) 80 nC —
Power Dissipation (Pd) 180 W (Tc) —
Boîtier TO-220AB TO-220AB (Through Hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Configuration Single FET, 1 element Single FET
Polarity N-Channel —
Series HEXFET —
Recommended Switching Frequency Below 100 kHz Below 100 kHz
Market Qualification Industrial (JEDEC per manufacturer) Industrial
Statut RoHS Compliant (PbF = lead-free) Compliant (Pb-free suffix)
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Continuous Drain Current (Id) at Ta [DATA_NEEDED: Id at 25C ambient] —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage VDSS — 55 V
Continuous Drain Current ID — 85 A (Tc)
Power Dissipation PD — 180 W (Tc)
On-Resistance RDS(on) — 0.014 Ohm (14 mOhm)
Total Gate Charge Qg — 80 nC
Gate-Source Voltage VGSS — +/-20 V
Operating Mode — Enhancement
Number of Channels — 1
Process Technology — Planar HEXFET, Advanced Process Technology

Fiches techniques et ressources

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