IRF1407PBF vs IRFB4110PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF1407PBF por Infineon y IRFB4110PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF1407PBF IRFB4110PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,86 $1,55
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (stripe-planar MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 130 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 330 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 7.8 mOhm (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 160 nC (typical) —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Estado RoHS — Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

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