IRF1407PBF vs IRFB4110PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1407PBF par Infineon et IRFB4110PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1407PBF IRFB4110PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $1,55
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (stripe-planar MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 130 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 330 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 7.8 mOhm (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 160 nC (typical) —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Statut RoHS — Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Fiches techniques et ressources

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