IRF1407PBF vs IRFB4110PBF 比較

詳細な並列比較: IRF1407PBF メーカー: Infineon および IRFB4110PBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF1407PBF IRFB4110PBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.86 $1.55
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (stripe-planar MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 130 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 330 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 7.8 mOhm (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 160 nC (typical) —
Maximum Junction Temperature 175 C —
動作温度範囲 -55 C to +175 C —
パッケージ TO-220AB (through-hole, 3 leads) TO-220AB (through-hole)
実装タイプ Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
RoHS ステータス — Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼