IRF3710STRLPBF vs IRF4905STRLPBF Comparación
Comparación detallada lado a lado de IRF3710STRLPBF por Infineon y IRF4905STRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon
IRF4905STRLPBF ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IRF3710STRLPBF | IRF4905STRLPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,23 | $0,95 |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | HEXFET / IR MOSFET (planar) | HEXFET (Planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 57 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | -260 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 23 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 86.7 nC | 120 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25 C) | 200 W | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| Encapsulado | D2PAK (TO-263), surface mount | D2PAK (TO-263) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tape & Reel Orientation | TRL (left) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -74 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 170 W |
| Nivel MSL | — | 1 |