IRF3710STRLPBF vs IRF4905STRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF3710STRLPBF от Infineon и IRF4905STRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF - 100V 57A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRF3710STRLPBF - 100V 57A N-Channel MOSFET | Infineon | D2PAK

IRF3710STRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF3710STRLPBF IRF4905STRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,23 $0,95
FET Type N-Channel P-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -260 A
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 120 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C -55C to +175C
Корпус D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes Yes
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
Уровень MSL — 1

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену