IRF3710STRLPBF vs IRF4905STRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF3710STRLPBF par Infineon et IRF4905STRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF3710STRLPBF | IRF4905STRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,23 | $0,95 |
| FET Type | N-Channel | P-Channel |
| Technology | HEXFET / IR MOSFET (planar) | HEXFET (Planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 57 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | -260 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 23 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 86.7 nC | 120 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25 C) | 200 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| Boîtier | D2PAK (TO-263), surface mount | D2PAK (TO-263) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tape & Reel Orientation | TRL (left) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -74 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 170 W |
| Niveau MSL | — | 1 |