IRF520NPBF vs IRF5210PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF520NPBF por Infineon y IRF5210PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF520NPBF IRF5210PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55 C to +175 C (junction)
Encapsulado TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Nivel MSL 1 (unlimited) —
Estado RoHS Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) HEXFET (Fifth Generation)
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — -40 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — -2 V to -4 V (typical -2 V)
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 60 milliohms
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc — 200 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Tab Connection — Electrically tied to Drain
Pin Configuration — Gate / Drain (tab) / Source (G-D-S, front view)

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