IRF520NPBF vs IRF5210PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF520NPBF por Infineon e IRF5210PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF520NPBF IRF5210PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,66 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55 C to +175 C (junction)
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Nível MSL 1 (unlimited) —
Status RoHS Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) HEXFET (Fifth Generation)
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — -40 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — -2 V to -4 V (typical -2 V)
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V — 60 milliohms
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc — 200 W
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Tab Connection — Electrically tied to Drain
Pin Configuration — Gate / Drain (tab) / Source (G-D-S, front view)

Fichas técnicas e recursos

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