IRF530NSTRLPBF vs IRF520NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF530NSTRLPBF por Infineon y IRF520NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF530NSTRLPBF IRF520NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,89 $0,66
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 17 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 90 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 24.7 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 70 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET (Planar Stripe Cell) HEXFET (vertical DMOS)
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant —
Qualification Market Industrial —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
Encapsulado — TO-220AB (through-hole)
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Estado RoHS — Compliant (Pb-free)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

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