IRF530NSTRLPBF vs IRF520NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF530NSTRLPBF par Infineon et IRF520NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF530NSTRLPBF IRF520NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,66
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 17 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 90 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 24.7 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 70 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab) —
Type de montage Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET (Planar Stripe Cell) HEXFET (vertical DMOS)
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant —
Qualification Market Industrial —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
Boîtier — TO-220AB (through-hole)
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Statut RoHS — Compliant (Pb-free)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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