IRF7205PBF vs IRF7205TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7205PBF por Infineon y IRF7205TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7205PBF IRF7205TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,47 $0,18
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -4.6 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 70 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1 V to -3 V (typical) -1.0 V to -3.0 V
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology IR MOSFET (HEXFET, planar cell) IR HEXFET (4th generation)
Encapsulado SO-8 SO-8 (8-SO)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (junction) —
Power Dissipation (TA=25C) [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C] —
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Qualification JEDEC standard —
Estado RoHS Compliant (Pb-free per PBF suffix) —
Generation Fourth Generation HEXFET —
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Disipación de potencia (TC=25°C) — 2.5 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +150 °C
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

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