IRF7205PBF vs IRF7205TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7205PBF par Infineon et IRF7205TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7205PBF IRF7205TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,47 $0,18
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -4.6 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 70 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1 V to -3 V (typical) -1.0 V to -3.0 V
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology IR MOSFET (HEXFET, planar cell) IR HEXFET (4th generation)
Boîtier SO-8 SO-8 (8-SO)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (junction) —
Power Dissipation (TA=25C) [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C] —
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Qualification JEDEC standard —
Statut RoHS Compliant (Pb-free per PBF suffix) —
Generation Fourth Generation HEXFET —
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 2.5 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +150 °C
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

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