IRF7205PBF vs IRF7205TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7205PBF por Infineon e IRF7205TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7205PBF IRF7205TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,47 $0,18
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) -4.6 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 70 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1 V to -3 V (typical) -1.0 V to -3.0 V
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Technology IR MOSFET (HEXFET, planar cell) IR HEXFET (4th generation)
Encapsulamento SO-8 SO-8 (8-SO)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) —
Power Dissipation (TA=25C) [DATA_NEEDED: Pd at TA=25C] —
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Qualification JEDEC standard —
Status RoHS Compliant (Pb-free per PBF suffix) —
Generation Fourth Generation HEXFET —
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Dissipação de potência (TC=25°C) — 2.5 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +150 °C
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

Fichas técnicas e recursos

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