IRF7389PBF vs IRF7854TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7389PBF por Infineon y IRF7854TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7389PBF IRF7854TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,61 $0,48
Configuration N and P-Channel (complementary half-bridge) —
Drain-to-Source Voltage N-Ch (V_DSS) 30 V —
Drain-to-Source Voltage P-Ch (V_DSS) -30 V —
Continuous Drain Current N-Ch (I_D) 7.3 A —
Continuous Drain Current P-Ch (I_D) -5.3 A —
On-Resistance N-Ch R_DS(on) max 0.029 ohm at V_GS=10V —
On-Resistance P-Ch R_DS(on) max 0.058 ohm at V_GS=10V —
Total Gate Charge N-Ch (Q_g) typical 22 nC —
Total Gate Charge P-Ch (Q_g) typical 23 nC —
Power Dissipation (P_D) 2.5 W —
Technology Generation V HEXFET HEXFET (planar N-channel)
Encapsulado SO-8 (SOIC-8) surface mount SO-8
Pinout Industry-standard complementary SO-8 —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: full operating temperature range] -55°C to +150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

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