IRF7854TRPBF vs IRF7103TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7854TRPBF por Infineon y IRF7103TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7854TRPBF IRF7103TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,47
FET Type N-Channel Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Encapsulado SO-8 SO-8 (PG-DSO-8-902)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) IR MOSFET™ (HEXFET equivalent)
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (TJ) -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7103TRPBF
Configuration — Common Source, Dual Die
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 50 V
Continuous Drain Current (ID) — 3 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM value]
On-Resistance RDS(on) max — 130 mOhm @ VGS=10V
On-Resistance RDS(on) typ — 0.11 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Soldering Method — Vapour phase, infrared, wave soldering
Nivel MSL — 1
Lead-Free — Yes (Pb-free per TRPBF suffix)
Estado RoHS — Compliant

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