IRF7854TRPBF vs IRF7103TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7854TRPBF メーカー: Infineon および IRF7103TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF7854TRPBF IRF7103TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.47
FET Type N-Channel Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
パッケージ SO-8 SO-8 (PG-DSO-8-902)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) IR MOSFET™ (HEXFET equivalent)
動作温度範囲 -55°C to +150°C (TJ) -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7103TRPBF
Configuration — Common Source, Dual Die
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 50 V
Continuous Drain Current (ID) — 3 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM value]
On-Resistance RDS(on) max — 130 mOhm @ VGS=10V
On-Resistance RDS(on) typ — 0.11 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Soldering Method — Vapour phase, infrared, wave soldering
MSLレベル — 1
Lead-Free — Yes (Pb-free per TRPBF suffix)
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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