IRF7854TRPBF vs IRF7103TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7854TRPBF par Infineon et IRF7103TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7854TRPBF IRF7103TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,47
FET Type N-Channel Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Boîtier SO-8 SO-8 (PG-DSO-8-902)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) IR MOSFET™ (HEXFET equivalent)
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (TJ) -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7103TRPBF
Configuration — Common Source, Dual Die
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 50 V
Continuous Drain Current (ID) — 3 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM value]
On-Resistance RDS(on) max — 130 mOhm @ VGS=10V
On-Resistance RDS(on) typ — 0.11 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Soldering Method — Vapour phase, infrared, wave soldering
Niveau MSL — 1
Lead-Free — Yes (Pb-free per TRPBF suffix)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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