IRFH5015TRPBF vs IPP069N20NM6AKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFH5015TRPBF por Infineon y IPP069N20NM6AKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFH5015TRPBF IPP069N20NM6AKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $4,10
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A 136 A
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC —
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Encapsulado 8-PQFN (5x6) SuperSO8 PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab)
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Configuration Single with built-in body diode —
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (TJ max) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Lead-Free — Yes
Nivel MSL — N/A (through-hole package)
Tab Connection — Electrically connected to Drain

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