IRFH5015TRPBF vs IPP069N20NM6AKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH5015TRPBF par Infineon et IPP069N20NM6AKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH5015TRPBF IPP069N20NM6AKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $4,10
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A 15.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A 136 A
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC —
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Boîtier 8-PQFN (5x6) SuperSO8 PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab)
Type de montage Surface Mount Through Hole
Configuration Single with built-in body diode —
Température de fonctionnement -55C to +150C (TJ max) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — N/A (through-hole package)
Tab Connection — Electrically connected to Drain

Fiches techniques et ressources

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