IRFH5015TRPBF vs IRFB7545PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFH5015TRPBF por Infineon y IRFB7545PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFH5015TRPBF IRFB7545PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,95
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC —
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Encapsulado 8-PQFN (5x6) SuperSO8 TO-220AB (Through-Hole)
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole (THT)
Configuration Single with built-in body diode —
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (TJ max) —
Estado RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7545PBF
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) max — 60 V
VGS (Gate-Source Voltage) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 5.9 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 380 A
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) — 57 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-Free, PBF suffix)
Nivel MSL — N/A (Through-Hole)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Avalanche Energy Rated — Yes

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