IRFH5015TRPBF vs IRFB7545PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH5015TRPBF por Infineon e IRFB7545PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH5015TRPBF IRFB7545PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,95
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC —
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Encapsulamento 8-PQFN (5x6) SuperSO8 TO-220AB (Through-Hole)
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole (THT)
Configuration Single with built-in body diode —
Temperatura de operação -55C to +150C (TJ max) —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFB7545PBF
Polarity — N-Channel
VDS (Drain-Source Voltage) max — 60 V
VGS (Gate-Source Voltage) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=10V — 5.9 mOhm
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 95 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 380 A
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) — 57 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 1.0 C/W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-Free, PBF suffix)
Nível MSL — N/A (Through-Hole)
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Avalanche Energy Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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