IRFH7084TRPBF vs IRF7469TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFH7084TRPBF por Infineon y IRF7469TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFH7084TRPBF IRF7469TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,45 $0,37
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) IR MOSFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (TJ) -55°C to +150°C (Tj)
Encapsulado 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) 8-SO (SOIC-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 1 (unlimited)
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C — 9 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 17 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C — 2.5 W
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes
Channel Mode — Enhancement
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]

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