IRFH7084TRPBF vs IRF7469TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH7084TRPBF par Infineon et IRF7469TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH7084TRPBF IRF7469TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,45 $0,37
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) IR MOSFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) -55°C to +150°C (Tj)
Boîtier 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) 8-SO (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C — 9 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 17 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 15 nC
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C — 2.5 W
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes
Channel Mode — Enhancement
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]

Fiches techniques et ressources

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