IRFH7084TRPBF vs IRFH7440TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFH7084TRPBF por Infineon y IRFH7440TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFH7084TRPBF IRFH7440TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,45 $0,78
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) StrongIRFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W 104 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (TJ) —
Encapsulado 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 —
Estado RoHS Compliant —
Sin halógenos Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) — 2.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 92 nC
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +150°C
Gate Drive Optimization — 10V (Normal Level), switching < 100 kHz
Qualification — JEDEC standard
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1
Typical Applications — Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching

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