IRFH7084TRPBF vs IRFH7440TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH7084TRPBF par Infineon et IRFH7440TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH7084TRPBF IRFH7440TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,45 $0,78
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) StrongIRFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W 104 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (TJ) —
Boîtier 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant —
Sans halogène Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) — 2.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 92 nC
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +150°C
Gate Drive Optimization — 10V (Normal Level), switching < 100 kHz
Qualification — JEDEC standard
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1
Typical Applications — Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching

Fiches techniques et ressources

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