IRFH7084TRPBF vs IRFH7440TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH7084TRPBF por Infineon e IRFH7440TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH7084TRPBF IRFH7440TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,45 $0,78
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) StrongIRFET™ (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W 104 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +175°C (TJ) —
Encapsulamento 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 —
Status RoHS Compliant —
Livre de halogênio Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) — 2.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 92 nC
Temperatura de junção de operação — -55°C to +150°C
Gate Drive Optimization — 10V (Normal Level), switching < 100 kHz
Qualification — JEDEC standard
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1
Typical Applications — Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação