IRFH8201TRPBF vs IRFH8318TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFH8201TRPBF por Infineon y IRFH8318TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFH8201TRPBF IRFH8318TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $0,48
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET (trench MOSFET) StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 324 A —
RDS(on) max at VGS=10V 0.95 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V max —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC at VGS=10V 41 nC
Output Capacitance (Coss) 7.33 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 850 pF —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 156 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH8318TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 120 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 3.6 W
Power Dissipation (Tc) — 59 W
Temperatura de funcionamiento — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
Description — Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters

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