IRFH8201TRPBF vs IRFH8318TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFH8201TRPBF 제조: Infineon 및 IRFH8318TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFH8201TRPBF | IRFH8318TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.05 | $0.48 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | StrongIRFET (trench MOSFET) | StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 49 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 324 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 0.95 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.35 V max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC at VGS=10V | 41 nC |
| Output Capacitance (Coss) | 7.33 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 850 pF | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 156 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C | — |
| 패키지 | SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad | PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRFH8318TRPBF |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 120 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 59 W |
| 동작 온도 | — | -55°C to +150°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Description | — | Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters |