IRFH8318TRPBF vs IRFR3806TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFH8318TRPBF por Infineon y IRFR3806TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFH8318TRPBF IRFR3806TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC 22 nC
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
Encapsulado PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nivel MSL 1 —
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Encapsulado / Carcasa — TO-252AA (DPAK)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

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