IRFH8318TRPBF vs IRFR3806TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFH8318TRPBF от Infineon и IRFR3806TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF - 30V N-Ch StrongIRFET, 3.1mΩ | Infineon

IRFH8318TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF - 60V 43A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR3806TRPBF - 60V 43A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR3806TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFH8318TRPBF IRFR3806TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,48 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC 22 nC
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
Корпус PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура -55°C to +150°C —
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Уровень MSL 1 —
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Корпус / Типоразмер — TO-252AA (DPAK)
Диапазон рабочих температур — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену