IRFH8318TRPBF vs IRFR3806TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH8318TRPBF por Infineon e IRFR3806TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH8318TRPBF IRFR3806TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH8318TRPBF —
Technology StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 120 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.1 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 41 nC 22 nC
Power Dissipation (Ta) 3.6 W —
Power Dissipation (Tc) 59 W —
Encapsulamento PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55°C to +150°C —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nível MSL 1 —
Description Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Encapsulamento / Caixa — TO-252AA (DPAK)
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

Fichas técnicas e recursos

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