IRFL024ZTRPBF vs IRLL2705TRPBF Comparación
Comparación detallada lado a lado de IRFL024ZTRPBF por Infineon y IRLL2705TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IRFL024ZTRPBF | IRLL2705TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,26 | $0,22 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 5.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 57.5 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | 9.1 nC | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 1 W | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +150C | -55 deg C to +175 deg C |
| Encapsulado | SOT-223 | SOT-223 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Recuento de pines | 3 (+ drain tab) | — |
| Nivel MSL | 1 | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | — | 3.8 A |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | — | 5.2 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 40 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | — | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) |
| Dynamic dv/dt Rating | — | Yes |