IRFL024ZTRPBF vs IRLL2705TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFL024ZTRPBF メーカー: Infineon および IRLL2705TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF ✓ 生産中
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IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLL2705TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFL024ZTRPBF IRLL2705TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.26 $0.22
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET fifth generation)
Drain-Source Voltage (Vds) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 57.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) Typ 9.1 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 1 W —
動作温度範囲 -55C to +150C -55 deg C to +175 deg C
パッケージ SOT-223 SOT-223
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 (+ drain tab) —
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C — 3.8 A
Peak Drain Current (IDM, pulsed) — 5.2 A
RDS(on) max at VGS=10V — 40 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 32 nC
Gate Drive Level — Logic-Level
Power Dissipation at TA=25 deg C — 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing)
Dynamic dv/dt Rating — Yes

データシート&リソース

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