IRFML8244TRPBF vs IRLML2060TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFML8244TRPBF por Infineon y IRLML2060TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFML8244TRPBF IRLML2060TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,15 $0,13
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR HEXFET (Trench Gate)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 5.8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 4.8 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V +/- 12 V
RDS(on) max @ VGS=10V 24 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) 5.4 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] 1.8 V typical
Power Dissipation (PD) max 1.25 W (Ta) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (junction) —
Encapsulado SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59) SOT-23 (Micro3, 3-pin)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 MSL1
Pin Configuration Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S) —
Estado RoHS Compliant (Pb-free, halogen-free) Compliant
Qualification Consumer grade —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
RDS(on) max at VGS=10V — 480 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5V — 650 mOhm (typical 580 mOhm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.25 W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) — 100 C/W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C
Sin halógenos — Yes

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