IRFML8244TRPBF vs IRLML2060TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFML8244TRPBF por Infineon e IRLML2060TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFML8244TRPBF IRLML2060TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,13
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR HEXFET (Trench Gate)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 5.8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 4.8 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V +/- 12 V
RDS(on) max @ VGS=10V 24 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) 5.4 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] 1.8 V typical
Power Dissipation (PD) max 1.25 W (Ta) —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) —
Encapsulamento SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59) SOT-23 (Micro3, 3-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 MSL1
Pin Configuration Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S) —
Status RoHS Compliant (Pb-free, halogen-free) Compliant
Qualification Consumer grade —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.2 A
RDS(on) max at VGS=10V — 480 mOhm
RDS(on) max at VGS=4.5V — 650 mOhm (typical 580 mOhm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.25 W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) — 100 C/W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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