IRFR220NPBF vs IRLR120NTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR220NPBF por Infineon y IRLR120NTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR220NPBF IRLR120NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $0,27
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado / Carcasa TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (Fifth Generation, planar)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 13.3 nC
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) Yes (PBF suffix indicates lead-free)
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 10 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed Idm]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 48 W
Encapsulado — TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated

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