IRFR220NPBF vs IRLR120NTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR220NPBF par Infineon et IRLR120NTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR220NPBF IRLR120NTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,27
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier / Format TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (Fifth Generation, planar)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 13.3 nC
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) Yes (PBF suffix indicates lead-free)
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
Nombre de broches 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 10 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed Idm]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 48 W
Boîtier — TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated

Fiches techniques et ressources

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