IRFR220NPBF vs IRLR120NTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR220NPBF por Infineon e IRLR120NTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR220NPBF IRLR120NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $0,27
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento / Caixa TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (Fifth Generation, planar)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 13.3 nC
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) Yes (PBF suffix indicates lead-free)
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) plus tab —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 10 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed Idm]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 48 W
Encapsulamento — TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação