IRFR2405TRLPBF vs IRFR220NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFR2405TRLPBF por Infineon y IRFR220NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFR2405TRLPBF IRFR220NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,55 $0,74
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) HEXFET (Planar)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (junction) -55C to +150C (junction)
Encapsulado TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) Yes (per datasheet characterization)
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant Yes, lead-free (PBF suffix)
Packaging Tape & Reel (TR) —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Encapsulado / Carcasa — TO-252AA (DPAK)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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